Dependência da extração de parâmetros de transistores com porta eletrolítica com o tempo de varredura das medidas elétricas

• Ano de defesa: 2023
• Autor(a) principal: Lucas Junior, Hélio José
• Orientador(a): Seidel, Keli Fabiana
• Banca de defesa: Seidel, Keli Fabiana , Duarte, Celso de Araujo , Coutinho, Douglas José
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade Tecnológica Federal do Paraná; Curitiba
• Programa de Pós-Graduação: Programa de Pós-Graduação em Física e Astronomia
• País: Brasil
• Palavras-chave em Português: Transistores; Correntes elétricas; Transistores eletroquímicos orgânicos; Transistores de efeito de campo orgânico; Medidas elétricas; Transistors; Electric currents; Organic electrochemical transistors; Organic field-effect transistors; Electric measurements
• Área do conhecimento CNPq: CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
• Link de acesso: http://repositorio.utfpr.edu.br/jspui/handle/1/31087

Os transistores com porta eletrolítica (EGTs, do inglês Electrolyte-Gated Transistors) compõem uma classe de dispositivos que opera com alta densidade de corrente elétrica sob aplicação de uma baixa tensão, resultando em uma alta transcondutância. Dependendo da faixa de tensão apli- cada na porta, sua modulação ocorre devido ao efeito de campo, sendo nomeado como EGOFET (do inglês Electrolyte-Gated Organic Field-Effect Transistors), ou devido à corrente iônica de íons difundidos para o canal, como ocorre nos chamados OECT (sigla do inglês, Organic Electro- chemical Transistors). Independentemente do seu modo de operação, é importante certificar-se de que os dados coletados sejam realizados no estado estacionário para haver estabilidade durante as medidas, boa reprodutibilidade e informação sobre regime de operação do EGT. A literatura científica atual tem apresentado inúmeras publicações sobre EGTs, assim como sua aplicação como sensores. Porém, muitas destas referências carecem de informações sobre reprodutibilidade e estabilidade dos dados coletados durante as medidas, sendo este o foco de exploração deste trabalho até o presente momento. No presente estudo, foi utilizada uma estrutura de EGT, a qual foi exposta a uma grande variedade de medidas elétrica para testar: transição entre os modos de operação (de EGOFET para OECT); estabilidade ao longo dos ciclos de operação para a curva de transferência; coleta de dados com diferentes intervalos de tempo de varredura na curva de transferência; e ajuste com modelo Luginieski-Seidel. O EGT desenvolvido possui a seguinte estrutura: eletrodos interdigitados de óxido de índio-estanho (ITO) os quais formam os eletrodos fonte e dreno; poli(3-hexiltiofeno-2,5diil) (P3HT) como semicondutor do canal; um gel iônico poli(fluoreto de vinilideno-co-hexafluoropropileno) (P(VDF-HFP)) e 1-etil-3-metilimidazólio bis(trifluoro-metilsulfonil) imida ([EMIM][TFSI]) como o filme dielétrico eletrolítico e uma folha de ouro (Au) para compor o eletrodo porta.