Fabricação, caracterização e modelamento de um dispositivo de efeito de campo à base de poli(o-metoxianilina).

• Ano de defesa: 1997
• Autor(a) principal: Onmori, Roberto Koji
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Transistores; Transistors
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-113334/

Essa tese apresenta resultados de um trabalho sobre fabricação e caracterização de um transistor por efeito de campo material (FET) tendo a poli(o-metoxianilina)- POMA - como material ativo. A POMA é um polímero condutivo cujas propriedades físicas, prncipalmente elétricas, são bastante estáveis quando em presença do ar. O mecanismo de dopagem , diferentemente dos demais polímeros condutivos, se dá por protonação da cadeia, não alterando a concentração de portadores na cadeia polimérica. Sua condutividade é facilmente controlável, sob dopagem ácida e/ou desdopagem base, permanecendo no intervalo entre \'10 POT. -8\' e \'10 POT.2 S/cm o que lhe confere características semicondutoras e, portanto, aplicável em princípio adispositivos elêtronicos. Foi feita uma adapatação de processos de microeletrônica tradicional para a confeccão desse dispositivo, uma vez que determinadas etapas de preparação de subatratos e de fotogravação eram agressivas ao material polimérico, e que o processo de dopagem química da POMA atacava a estrutura do fotoresiste. O FET desenvolvido apresentou modulação por voltagem de porta \'V IND.g\'= 0. A corrente de dreno \'I IND.d\' aumentou significativamente sob iluminação naregião da radiação visível, mostrando o carácter fotocondutor da POMA dopada e, portanto, do dispositivo. Um modelo teórico baseado nos mecanismos de condução elêtronica da POMA, e de efeitos de interface metal-polímero, foi eleborado e seajustou muito bem aos resultados experimentais.