Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
1997 |
| Autor(a) principal: |
Rodrigues, Cecilia Wetterlê |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Tese
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28112024-163335/
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Resumo: |
O objetivo deste trabalho foi dar uma contribuição em termos de modelamento físico do sistema heteroestrutura-metal e do transistor HEMT. Para realizar o modelamento foi desenvolvido um programa - HJMOD - em linguagem FORTRAN. Este programa pode ser dividido em duas partes: na primeira parte o programa obtém para o sistema heteoestrutura-metal a densidade de cargas do gás bidimensional de elétrons. Na segunda parte é obtida para o transistor HEMT as características de corrente no dreno. Na primeira parte do programa são resolvidas autoconsistentemente as equações de Poisson e de Schroedinger. São obtidos, a cada iteração, o potencial, o campo elétrico e a densidade de cargas no gás bidimensional de elétrons do sistema metal-heteroestrutura. Na segunda parte do programa são obtidos para o transistor HEMT, através da resolução autoconsistente das equações de Poisson, de Schroedinger e da continuidade, o potencial, o campo elétrico e a corrente total no sistema. Os resultados obtidos com o programa HJMOD mostram-se em bom acordo com os resultados teóricos e experimentais publicados na literatura. |
