Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
1996 |
| Autor(a) principal: |
Pavanello, Marcelo Antonio |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112024-124303/
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Resumo: |
Apresentamos neste trabalho um estudo da influência do substrato sobre as características elétricas do transistor SOI MOSFET em temperatura ambiente e em baixa temperatura. Para este estudo foram utilizados transistores operando em modo enriquecimento e em modo acumulação. Desenvolvemos um modelo analítico simples para a queda de potencial no substrato de SOI MOSFET\'s de camada fina e o integramos aos modelos classicamente utilizados. O modelo desenvolvido foi validado através de simulações numéricas bidimensionais realizadas com o simulador MEDICI. As previsões teóricas e por simulação foram comprovadas experimentalmente não só em temperatura ambiente como em temperatura de nitrogênio líquido. Concluímos que os efeitos do substrato sobre as características elétricas do transistor SOI não mais podem ser desprezados, principalmente quando óxidos enterrados finos são utilizados, sobretudo em baixa temperatura. O modelo analítico desenvolvido mostrou-se capaz de descrever os efeitos provocados pelo substrato no transistor SOI tanto em temperatura ambiente quanto em baixa temperatura. |
