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“...O presente trabalho tem como ponto de partida a obra Les lauriers sont coupés, do escritor francês...”
Les lauriers sont coupés: a exibição do pensamento e da linguagem
Tese
2
“...Este trabalho tem como objetivo demonstrar o desempenho do transistor SOI de canal gradual (Graded...”
Desempenho de transistores GC SOI MOSFETs submicrométricos
Dissertação
3
“...Impactado pela Indústria 4.0, o mercado de trabalho passa por mudanças. As Soft Skills...”
Soft Skills na Indústria 4.0
Dissertação
4
Assuntos:
“...Lâminas SOI...”
Solda direta para obtenção de lâminas Soi com tecnologia \"SMART CUT\".
Dissertação
5
Assuntos:
“...GC-SOI MOSFET...”
Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET.
Dissertação
6
“... de silício sobre isolante (Silicon On Insulator), SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico...”
Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet .
Tese
7
Assuntos:
“...Transistores SOI...”
Influência da temperatura no ruído de baixa frequência em transistores SOI de canal gradual (GC SOI) submicrométricos
Dissertação
8
9
Assuntos:
“...SOI technology...”
Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas.
Tese
10
11
12
Assuntos:
“...MOS/SOI Transistor...”
Influência do auto-aquecimento na característica I-V de transistores MOS/SOI.
Dissertação
13
“... em substratos de Si e SOI. O material foi produzido pela técnica de Síntese por Feixe de Íons (IBS) seguido...”
Síntese e caracterização de nanocristais de PbSe em substrato SOI
Dissertação
14
“...-sobre-Isolante (Silicon-On-Insulator SOI) como uma possível substituta da tecnologia MOS convencional...”
Desenvolvimento de nanofios transistores em substratos SOI com espessuras nanométricas
Tese
15
“...O autoaquecimento é um efeito que os dispositivos SOI MOSFETs estão sujeitos, quando a potência...”
Efeitos do autoaquecimento em transistores SOI-MOS tridimensionais nanométricos
Tese
16
“... ou porta inferior em dispositivos FinFET SOI com paredes paralelas e canal n, por meio de simulações...”
Efeito de corpo em transistores SOI de porta dupla vertical
Dissertação
17
“... piezoresistivo em substrato SOI. O dispositivo projetado apresenta um diafragma de silício com quatro...”
Projeto de um sensor de pressão piezoresistivo em substrato SOI.
Dissertação
18
“...Este trabalho apresenta uma análise comparativa do comportamento de uma nova estrutura SOI...”
Análise do funcionamento de dispositivos GC SOI MOSFET em altas temperaturas.
Dissertação
19
“...Este trabalho apresenta uma análise do funcionamento do transistor SOI nMOSFET de canal gradual...”
Análise do funcionamento dos dispositivos GC SOI MOSFETs em baixas temperaturas.
Dissertação
20
“...Neste trabalho é apresentado o estudo dos aspectos principais de funcionamento dos transistores SOI...”
Simulação de dispositivos Soi Mosfets utilizando spice.
Dissertação