Ano de defesa: |
2003 |
Autor(a) principal: |
Agopian, Paula Ghedini Der |
Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
Tipo de documento: |
Dissertação
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Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
Idioma: |
por |
Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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Departamento: |
Não Informado pela instituição
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País: |
Não Informado pela instituição
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Palavras-chave em Português: |
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Link de acesso: |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21102024-152634/
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Resumo: |
Este trabalho apresenta uma análise do funcionamento do transistor SOI nMOSFET de canal gradual (GC) em baixas temperaturas. A análise realizada é comparativa e tem por referência o transistor SOI nMOSFET convencional e o próprio transistor GC SOI quando operando em temperatura ambiente. A caracterização elétrica do dispositivo foi realizada através de medidas experimentais e de simulações numéricas bidimensionais realizadas na faixa de temperatura de 100K a 300K. As características de saída do transistor GC SOI foram avaliadas e apresentaram melhoras significativas da tensão de ruptura em todas as temperaturas estudadas. A melhora da tensão de ruptura apresentada foi comprovada com os resultados dos estudos de simulação da taxa de ionização por impacto e da distribuição do campo elétrico na região de canal. Apesar da maior ocorrência da ionização por impacto com o decréscimo da temperatura, os dispositivos GC SOI apresentaram a redução da taxa de ionização por impacto com o aumento da relação LLD/L até valores desta relação que apresentem o efeito da redução do comprimento efetivo do canal superando o efeito do campo elétrico da região fracamente dopada próxima ao dreno. A partir de resultados experimentais notou-se ainda uma grande melhora da transcondutância e da relação gm/IDS com a redução da temperatura. Além disso, a não degradação dos parâmetros como a tensão de limiar e a inclinação de sublimiar com a redução da temperatura, do transistor GC SOI em relação ao SOI convencional, mostram que a região fortemente dopada do canal controla o dispositivo, mantendo assim as características do dispositivo. |
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