Simulação de dispositivos Soi Mosfets utilizando spice.

• Ano de defesa: 2000
• Autor(a) principal: Camillo, Luciano Mendes
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Modelagem; Modeling; Simulação; Simulation; Transistores; Transistors
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07112024-105642/

Neste trabalho é apresentado o estudo dos aspectos principais de funcionamento dos transistores SOI MOSFETs operando no modo inversão, abordando seus modelos analíticos em detalhes para permitir que eventuais simplificações possam ser feitas, e não prejudiquem os resultados obtidos no comportamento básico destes dispositivos nas simulações realizadas com o simulador SPICE. Foi realizado um estudo do simulador analítico SPICE, seus modelos para o transistor SOI MOSFET modo inversão e os diversos parâmetros físicos relacionados para a viabilização das simplificações do modelo analítico. Para um melhor ajuste dos resultados obtidos através do SPICE utilizou-se uma seqüência de extração e ajuste dos valores dos parâmetros das simulações SPICE, tendo como base comparativa de ajuste os dados e resultados obtidos com as simulações numéricas bidimensionais MEDICI para dispositivos SOI MOSFET, e foi obtido um bom ajuste das curvas características de corrente e tensão. É apresentada uma proposta de implementação do modelo físico do efeito do substrato no simulador analítico SOI-SPICE. Para providenciar esta integração uma aproximação binomial do modelo analítico foi introduzida. Os resultados obtidos pelas simulações SOI-SPICE com a implementação proposta foram comparadas com as simulações numéricas bidimensionais MEDICI, com a solução do modelo analítico e com dados experimentais, resultando em um bom ajuste nas condições estudadas.