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“...O presente trabalho tem como ponto de partida a obra Les lauriers sont coupés, do escritor francês...”
Les lauriers sont coupés: a exibição do pensamento e da linguagem
Tese
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“...Este trabalho tem como objetivo demonstrar o desempenho do transistor SOI de canal gradual (Graded...”
Desempenho de transistores GC SOI MOSFETs submicrométricos
Dissertação
3
“...Impactado pela Indústria 4.0, o mercado de trabalho passa por mudanças. As Soft Skills...”
Soft Skills na Indústria 4.0
Dissertação
4
Assuntos:
“...Lâminas SOI...”
Solda direta para obtenção de lâminas Soi com tecnologia \"SMART CUT\".
Dissertação
5
Assuntos:
“...GC-SOI MOSFET...”
Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET.
Dissertação
6
“... de silício sobre isolante (Silicon On Insulator), SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico...”
Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet .
Tese
7
Assuntos:
“...Transistores SOI...”
Influência da temperatura no ruído de baixa frequência em transistores SOI de canal gradual (GC SOI) submicrométricos
Dissertação
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Assuntos:
“...SOI technology...”
Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas.
Tese
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Assuntos:
“...MOS/SOI Transistor...”
Influência do auto-aquecimento na característica I-V de transistores MOS/SOI.
Dissertação
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“... em substratos de Si e SOI. O material foi produzido pela técnica de Síntese por Feixe de Íons (IBS) seguido...”
Síntese e caracterização de nanocristais de PbSe em substrato SOI
Dissertação
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“...-sobre-Isolante (Silicon-On-Insulator SOI) como uma possível substituta da tecnologia MOS convencional...”
Desenvolvimento de nanofios transistores em substratos SOI com espessuras nanométricas
Tese
19
“...O autoaquecimento é um efeito que os dispositivos SOI MOSFETs estão sujeitos, quando a potência...”
Efeitos do autoaquecimento em transistores SOI-MOS tridimensionais nanométricos
Tese
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“... ou porta inferior em dispositivos FinFET SOI com paredes paralelas e canal n, por meio de simulações...”
Efeito de corpo em transistores SOI de porta dupla vertical
Dissertação