Estudo da sinterização de contatos \'AL\'/\'TI\' por recozimento térmico rápido visando a aplicação em circuitos integrados.

• Ano de defesa: 1997
• Autor(a) principal: Marques, Ângelo Eduardo Battistini
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Circuitos integrados; Integrated circuits; Sintering; Sinterização
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-16082024-081217/

Neste trabalho estudamos a aplicação da técnica de processamento térmico rápido na sinterização de contatos entre alumínio e silício. Foi utilizado um filme fino de titânio como barreira de difusão com o objetivo de evitar as interações entre alumínio e silício. Para comparação de resultados utilizamos estruturas de contato \'Al\'/\'Si\'-N e \'Al\'/\'Ti\'/\'Si\'-N. As junções no silício foram fabricadas através de implantação iônica de arsênio (7.10\'POT.15\' at/cm²\', 110kev) e recozimentos por RTP (1.100°C, 20s) e convencional (1.000°C, 30 minutos). Os contatos metálicos de titânio (60nm) e alumínio dopado com 1% de silício (400nm) foram depositados através de espirramento catódico (Sputtering). Esta estrutura foi sinterizada em forno RTP com lâmpadas halógenas, em ambiente de nitrogênio. As temperaturas para os tratamentos térmicos rápidos estão na faixa de 420°C a 500°C e os tempos entre 10s e 30s. O tratamento convencional, utilizado como parâmetro de comparação, foi feito a 420°C por 30 minutos. Foram implementadas, ainda, estruturas de teste, diodos, resistores Kelvin e capacitores MOS, com a finalidade de estudar como o tratamento térmico afeta as características elétricas dos dispositivos MOS. Estudamos também as interações nas estruturas de contato através de espectrometria de retroespalhamento de Rutherford (RBS).