Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
1993 |
| Autor(a) principal: |
Galeazzo, Elisabete |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012025-095240/
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Resumo: |
O objetivo principal deste trabalho e o desenvolvimento de sensores de campo magnético compatíveis com as tecnologias convencionais de circuitos integrados. São utilizadas tecnologias industriais oferecidas pelos projetos multiusuários brasileiros para a fabricação dos dispositivos sensores. É realizada uma revisão dos efeitos galvanomagnéticos nos semicondutores submetidos a alguma excitação magnética e são analisadas as dependências dos coeficientes das expressões do transporte galvanomagnético nos semicondutores. São apresentados alguns sensores de campo magnético a semicondutor, denominados magneto-transistores, sendo especificadas as alterações geométricas realizadas, as polarizações elétricas efetuadas e efeitos básicos correspondentes a cada sensor projetado. É calculada analiticamente a sensibilidade magnética de cada dispositivo sensor em função da condição de polarização. Os resultados experimentais obtidos, ilustrados mediante a sensibilidade magnética, são comparados com as análises teóricas desenvolvidas. |
