Introdução ao projeto de circuitos integrados digitais de alta velocidade com transistores HEMT.

• Ano de defesa: 1993
• Autor(a) principal: Reina Muñoz, Rodrigo
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Circuitos integrados digitais; Digital integrated circuits
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012025-163311/

Devido a ausência na literatura de princípios de projeto de circuitos integrados digitais com transistores HEMT, apresentam-se as bases para tal fim. Descreve-se o principio de operação, estruturas e processos de fabricação, desenvolvimento de equações do dispositivo, e as famílias lógicas utilizadas. Foram obtidas expressões para caracterização estática. Apesar de que analisamos o desempenho com várias estruturas, foi necessário trabalhar com a estrutura clássica, pois não se tinham parâmetros para realizar a simulação com outras estruturas. Para avaliar o desempenho, empregou-se um oscilador em anel. O tempo de atraso determinado foi de 15 picosegundos, com dissipação de 4.3 milivatios (as dimensões dos transistores foram de uma e dez microns para o comprimento e largura respectivamente). Um somador foi simulado utilizando o programa AIM-SPICE. O tempo de soma foi de 67 picosegundos, com dissipação de 1.2 milivatios. Comparando com resultados reportados nas diferentes tecnologias, este tempo é o mais baixo. Para obter menor dissipação de potência, aplicamos a lógica TDFL com transistor HEMT. Apresentam-se, pela primeira vez, os fundamentos desta lógica com transistor HEMT. Devido a dificuldade na operação do inversorHEMT-TDFL, foi empregada uma técnica para contornar problemas de injeção de carga, obtendo operação correta do inversor HEMT-TDFL, em 500 mega-hertz.