Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: |
1991 |
Autor(a) principal: |
Lee, Hong Keun |
Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
Tipo de documento: |
Dissertação
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Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
Idioma: |
por |
Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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Departamento: |
Não Informado pela instituição
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País: |
Não Informado pela instituição
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Palavras-chave em Português: |
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Link de acesso: |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012025-155109/
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Resumo: |
Este trabalho consiste em estudar e otimizar contatos metal-semicondutor de arseneto de galido para construção de transistores Mesfet. Para chegar a este objetivo construiu-se dispositivos de caracterização dos contatos e camada ativa; desenvolveu-se uma tecnologia de construção de transistor Mesfet de microonda; e finalmente caracterizou o transistor e comparou os resultados obtidos experimentalmente com os obtidos teoricamente (estimados com dispositivos de caracterização). A comparação dos resultados mostraram a validade dos métodos de caracterização e a tecnologia de construção de transistor Mesfet desenvolvida. O transistor construído com comprimento de porta de 1, 2 microns apresentou características de microondas consideradas boas. O contato ôhmico obtido a base de material sinterizado \'PD\'/\'GE\'/\'AU\' mostrou ter baixa resistividade e uma boa morfologia de superficie, o que permitiria maior interação. |