Estudo da formação do siliceto de titânio obtido pela reação de filmes finos de titânio com silício policristalino e com silício amorfo.

• Ano de defesa: 1994
• Autor(a) principal: Silva, Ana Neilde Rodrigues da
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Filmes finos; Materiais; Materials; Thin films
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-16082024-080316/

A formação de disiliceto de titânio \'TI\'\'SI IND.2\' pela reação de filmes finos de titânio com silício policristalino e silício amorfo, visando a aplicação em portas e interconexões de dispositivos MOS. O substrato de silício policristalino afeta tanto a cinética de formação da fase \'TI\'\'SI IND.2\'- c 49, como a temperatura de transição de \'TI\'\'SI IND.2\'- c 49 para \'TI\'\'SI IND.2\'- c 54. A temperatura desta transição de fase também é influenciada pela presença do fósforo no substrato de silício policristalino. Devido a alta reatividade química entre o titânio e o oxigênio presente no ambiente, investigou-se o uso de uma capa de proteção de silício amorfo, depositada sobre o filme de titânio. Os filmes de siliceto obtidos desta maneira, resultaram mais espessos, e mostram uma temperatura de transição de C49 para C54 menor do que a verificada para silicetos formados sem a capa. Para a reação de filmes finos de titânio com silício amorfo, investigou-se a influência da razão entre as espessuras dos filmes depositados. Para estruturas com 70 ou 80nm de silício amorfo depositado sobre 40 nm de titânio, verificou-se que após tratamento com baixa temperatura ocorre a formação de \'TI\'\'SI IND.2\'- c 49 e \'TI IND.5\'\'SI IND.3\'. Para estruturas com 90 nm de silício amorfo sobre 40 nm de titânio, verificou-se também a presença de \'TI\'\'SI IND.2\'- C54 e o aparecimento de bolhas e precipitados.