Filmes de carbeto de silício de alto gap óptico obtidos pela técnica de PECVD.

• Ano de defesa: 1994
• Autor(a) principal: Paez Carreño, Marcelo Nelson
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Filmes finos; Silicio; Silicon; Thin films
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18112024-154535/

A seguir apresentamos os resultados de nosso estudo sobre as propriedades ópticas, morfológicas e estruturais de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado. As amostras foram crescidas através da técnica de PECVD (Deposição Química a Vapor Ativada por Plasma), a partir de misturas apropriadas de silano e metano. Em este trabalho mostramos a importância do fluxo de silano, além da composição da mistura gasosa, nas propriedades dos filmes. Em particular, estabelecemos a importância da condição de plasma faminto (starving plasma) na obtenção de amostras de carbeto de silício amorfo hidrogenado de alto GAP. Os resultados das medidas ópticas mostram que filmes crescidos sob condições de plasma faminto apresentam maior GAP óptico. Por outro lado, as medidas de caracterização estrutural e morfológica indicam que essa condição de deposição promove o crescimento de um material mais homogêneo, com tendência a ordem química do carbeto de silício cristalino e com menor densidade de microporos. As propriedades estruturais das amostras foram analisadas por espectroscopia de infravermelho e por EXAFS (Extended X-ray Absorption Fine Structure). O estudo das propriedades morfológicas foi realizado através de medidas de espalhamento de raios-X a baixo ângulo (SAXS), com as quais determinamos a fração relativa em volume de microporos.