Películas de silício microcristalino hidrogenado: um estudo de desenvolvimento de sua obtenção por processo CVD assistido por plasma.

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1991
Autor(a) principal: Dirani, Ely Antonio Tadeu
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012025-093110/
Resumo: Foram estudadas as propriedades eletro-ópticas e estruturais de películas de silício microcristalino hidrogenado dopadas com fósforo em função dos parâmetros de deposição. As películas foram depositadas num reator do tipo plasma enhanced chemical vapor deposition. Observou-se que as propriedades do material são extremamente sensíveis a densidade de potência de r.f. E a concentração de hidrogênio na mistura gasosa. As propriedades elétricas, ópticas e a estrutura das películas foram estudadas através da energia de ativação e condutividade, da energia do hiato óptico, difração raios-x com incidência de baixo ângulo, espectroscopia Raman e espectroscopia de infravermelho. O tamanho médio dos cristalitos apresentou-se na faixa entre 70 angstrons e 120 angstrons. Observou-se que a condutividade elétrica das películas e diretamente proporcional ao tamanho médio dos cristalitos é também depende da concentração de hidrogênio na mistura gasosa e da densidade de potencia r.f.