Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: |
1991 |
Autor(a) principal: |
Dirani, Ely Antonio Tadeu |
Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
Tipo de documento: |
Dissertação
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Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
Idioma: |
por |
Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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Departamento: |
Não Informado pela instituição
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País: |
Não Informado pela instituição
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Palavras-chave em Português: |
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Link de acesso: |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012025-093110/
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Resumo: |
Foram estudadas as propriedades eletro-ópticas e estruturais de películas de silício microcristalino hidrogenado dopadas com fósforo em função dos parâmetros de deposição. As películas foram depositadas num reator do tipo plasma enhanced chemical vapor deposition. Observou-se que as propriedades do material são extremamente sensíveis a densidade de potência de r.f. E a concentração de hidrogênio na mistura gasosa. As propriedades elétricas, ópticas e a estrutura das películas foram estudadas através da energia de ativação e condutividade, da energia do hiato óptico, difração raios-x com incidência de baixo ângulo, espectroscopia Raman e espectroscopia de infravermelho. O tamanho médio dos cristalitos apresentou-se na faixa entre 70 angstrons e 120 angstrons. Observou-se que a condutividade elétrica das películas e diretamente proporcional ao tamanho médio dos cristalitos é também depende da concentração de hidrogênio na mistura gasosa e da densidade de potencia r.f. |