Preparação e caracterização de películas de nitreto de silício obtidas pela técnica PECVD: aplicações em células solares de silício multicristalino.

• Ano de defesa: 1994
• Autor(a) principal: Sato, Eduardo Makoto
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Películas de nitreto de silício; Silicon nitride films
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30082024-145538/

Estudou-se a influência que os principais parâmetros de deposição exercem nas características finais de películas de nitreto de silício obtidas num reator tipo PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Os parâmetros considerados foram a temperatura do substrato durante a deposição, a concentração relativa dos gases reagentes (amônia e silana) no interior da câmara do reator e a potência de rf aplicada aos gases para gerar o plasma. Tal estudo teve duas finalidades. 1) a obtenção de uma película com características adequadas a função de camada anti-refletora em células solares de silício multicristalino para aplicação terrestre. 2) a passivação de defeitos do dispositivo, o que deve ocorrer durante a deposição da camada de nitreto de silício devido a presença de hidrogênio no plasma gerado pela decomposição da silana (\'SI\'\'H IND.4\') e da amônia (\'N\'\'H IND.3\'). A análise das películas de nitreto foi feita através de medidas de elipsometria, de espectroscopia (infravermelho, visível e parte do ultra-violeta), de espectrometria de retroespalhamento (rbs) e de difração de raios-x. O reator utilizado e os parâmetros considerados permitiram um bom controle sobre as características das películas depositadas. A camada anti-refletora obtida com as condições de plasma otimizadas mostrou-se bastante eficiente, reduzindo a reflexão a menos da metade.