Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
1991 |
| Autor(a) principal: |
Ramos, Carlos Alberto Santos |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-06012025-122006/
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Resumo: |
Neste trabalho foi realizado o estudo de filmes de silício amorfo hidrogenado e suas ligas com carbono dopados com boro, num reator planar de descarga luminosa capacitiva de RF. Durante os estudos, que visavam a obtenção das condições ideais de deposição desses materiais, foi observado um fator limitante, que diz respeito principalmente aos tipos de gases inseridos dentro da câmara de deposição. Neste caso nos referimos ao hélio, utilizado como diluente no cilindro da diborana, que leva a produção de películas com propriedades opto-elétricas pobres, contrariamente as películas intrínsecas ou dopadas com fósforo depositadas no mesmo reator. |
