Deposição de nitreto de silício por LPCVD.

• Ano de defesa: 1994
• Autor(a) principal: Zambom, Luis da Silva
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Materiais; Materials
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-16082024-072450/

Desenvolveu-se um processo de deposição de nitreto de silício a partir da reação química entre diclorosilana e amônia, em baixa pressão (LPCVD Low Pressure Chemical Vapor Deposition). Extraiu-se a taxa de crescimento do filme (< 11 \'angstrons\'/min), desuniformidades axial e radial (ambas < 3%) e a energia de ativação (33 kcal/mol) do processo de deposição. O filme estequiométrico (\'Si ind.3\'\'N ind.4\') foi obtido a 720°C, com proporção gasosa 16 e a uma pressão de 0,5 torr. Verificou-se que mesmo um filme não estequiométrico funciona como barreira contra oxidação. Os filmes obtidos apresentaram as seguintes características físicas: concentração total de hidrogênio (na forma de ligações \'Si\'- H e N - H) \'5.10 pot.21\'\'cm pot.-3\', tensão máxima \'5.10 pot.10\' dinas/\'cm pot.2\'. Para espessuras superiores a 2000\'angstrons\' a tensão interfacial silício/nitreto foi verificada ser alta o suficiente para induzir a formação de discordâncias no substrato e rachaduras no filme, aliviando novamente a tensão. Sob o ponto de vista elétrico, o filme apresentou rigidez dielétrica superior a 8 mv/cm, com elevada carga fixa positiva (1 - \'10.10 pot.12\'\'cm pot.-2\'). Esta carga, bem como a concentração total de hidrogênio na forma de ligações \'Si\'- H e N - H, pode ser substancialmente reduzida via tratamentos térmicos de desinficação posteriores a deposição.