Obtenção de filmes de nitreto de silício por deposição química assistida por plasma acoplado indutivamente.

• Ano de defesa: 2000
• Autor(a) principal: Zambom, Luis da Silva
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Filmes finos; Microelectronics (Processes); Microeletrônica (Processos); Plasma; Thin films
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21102024-084447/

Nitreto de silício é um importante filme isolante utilizado em microeletrônica e micromáquinas, sendo normalmente depositado pela técnica de CVD (Deposição Química por Vapor). Neste trabalho um reator Low Pressure CVD (Deposição Química por Vaporà Pressão Reduzida) convencional foi adaptado a trabalhar como um reator ICP-CVD (Plasma Acoplado Indutivamente). Para isso uma bobina de rádio-freqüência de 13,56 MHz, circundada por uma proteção metálica de alumínio, foi adaptada em torno dotubo de quartzo do reator. Filmes finos de nitreto de silício de diferentes composições foram depositados através de misturas gasosas entre silana e amônia ou silana e nitrogênio, na temperatura de \'350 GRAUS\'C e potência de RF entre 25 e 100 W.Foram obtidas altas taxas de deposição para ambas as misturas gasosas devido à alta densidade de íons. O índice de refração mostrou-se dependente da composição do filme. A concentração total de hidrogênio foi menor quando o nitrogênio erautilizado. Também, os filmes apresentaram altos valores de tensão mecânica comparados com outros processos CVD. Com respeito às características elétricas, os filmes apresentaram altos valores de constante dielétrica e baixos valores de campoelétrico de ruptura da rigidez dielétrica. Os filmes depositados a partir da amônia apresentaram os melhores valores de condutividade e carga efetiva total.