Estudo da formação e deposição de silicetos de titânio sobre dióxido de silício por co-deposição.

• Ano de defesa: 1993
• Autor(a) principal: Fontes, Marcelo Bariatto Andrade
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Materiais; Materials
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-05082024-080059/

Os silicetos são largamente utilizados na fabricação de dispositivos na tecnologia VLSI. Eles representam uma solução para compatibilizar os tempos de atraso dos componentes e as interconexões nos circuitos integrados. Dos silicetos, o \'TI\'\'SI IND.2\' na estrutura cristalina \'C IND.54\'é o que apresenta a menor resistividade. Sua obtenção a partir da co-deposição dos elementos \'TI\' e \'SI\' possui a vantagem de manter a integridade das junções em transistores MOS e formar silicetos sobre qualquer substrato. Neste trabalho estudou-se a formação e deposição de vários silicetos de titânio a partir da co-deposição alternada de silício e titânio sobre dióxido de silício por magnetron sputtering, utilizando para este fim tratamentos térmicos rápidos e diversas técnicas para caracterizá-los: SEM, RBS, X-RAY e resistividade. Foram realizadas medidas in situ para estudar o ambiente de plasma através de uma sonda autocompensada de Langmuir e formular um modelo da taxa de deposição.