Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: |
1993 |
Autor(a) principal: |
Fontes, Marcelo Bariatto Andrade |
Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
Tipo de documento: |
Dissertação
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Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
Idioma: |
por |
Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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Departamento: |
Não Informado pela instituição
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País: |
Não Informado pela instituição
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Palavras-chave em Português: |
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Link de acesso: |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-05082024-080059/
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Resumo: |
Os silicetos são largamente utilizados na fabricação de dispositivos na tecnologia VLSI. Eles representam uma solução para compatibilizar os tempos de atraso dos componentes e as interconexões nos circuitos integrados. Dos silicetos, o \'TI\'\'SI IND.2\' na estrutura cristalina \'C IND.54\'é o que apresenta a menor resistividade. Sua obtenção a partir da co-deposição dos elementos \'TI\' e \'SI\' possui a vantagem de manter a integridade das junções em transistores MOS e formar silicetos sobre qualquer substrato. Neste trabalho estudou-se a formação e deposição de vários silicetos de titânio a partir da co-deposição alternada de silício e titânio sobre dióxido de silício por magnetron sputtering, utilizando para este fim tratamentos térmicos rápidos e diversas técnicas para caracterizá-los: SEM, RBS, X-RAY e resistividade. Foram realizadas medidas in situ para estudar o ambiente de plasma através de uma sonda autocompensada de Langmuir e formular um modelo da taxa de deposição. |