Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
1993 |
| Autor(a) principal: |
Pedrine, Antonio Giacomo |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11122024-152603/
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Resumo: |
Neste trabalho apresentamos o processo de deposição de silício policristalino por LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) utilizando nitrogênio como gás carregador. Para caracterização do processo, obtivemos inicialmente a relação entre fração molar de silana e taxa de deposição do filme. Com esse resultado, pudemos notar a pequena influência do processo de difusão de massa. Através de fotomicrografias de força atômica e varredura, pudemos acessar a influência da fração molar de silana na rugosidade superficial do filme. Analises por difração de raios-x mostraram que o filme exibe as seguintes orientações cristalográficas preferenciais: (110), (111), (311) e (331). Através de fotomicrografias de força atômica verificou-se que o tamanho de grão para filmes de espessura 0,5 micrometros possui tamanho de grão variando de 100 a 240 nanometros (valores próximos dos obtidos através de medidas de raios-x). Verificou-se também a estrutura colunar do filme. |
