Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
2000 |
| Autor(a) principal: |
Alayo Chávez, Marco Isaías |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Tese
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-17052022-095615/
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Resumo: |
Neste trabalho apresentamos um estudo sobre a otimização das propriedades físicas, mecânicas e elétricas de películas de dióxido de silício (Si´O IND.2´) e oxinitreto de silício (Si´O IND.x´´N IND.y´) depositadas pela técnica de deposição química a vapor assistida por plasma (PECVD). O objetivo principal é a obtenção, em baixas temperaturas, de materiais com propriedades adequadas para sua utilização em optoeletrônica, sistemas micro eletromecânicos (MEMS) e na fabricação de dispositivos Metal-Óxido-Semicondutor (MOS). Para os dispositivos MOS, fabricados utilizando como dielétrico filmes de Si´O IND.2´ desenvolvidos anteriormente, e que mostraram excelentes propriedades estruturais e composicionais, foi realizado um estudo visando diminuir a carga efetiva no volume do isolante e na interface isolante/semicondutor. Para o desenvolvimento de MEMS, foram pesquisadas as condições ideais que permitam obter filmes espessos, acima de 1 ´MICROMETRO´, com uma alta resistência à corrosão em KOH e com mínimas tensões mecânicas internas. Assim, a viabilidade de utilizar este material em MEMS foi demonstrada pela fabricação de membranas auto-sustentadas de até 0,8 ´cm POT.2´. Finalmente, visando sua utilização em optoeletrônica, desenvolvemos um estudo das condições de deposição que permitam um controle acurado do índice de refração pois este é o parâmetro fundamental na fabricação de guias de onda. Determinadas estas condições, foram fabricados alguns guiasde onda (do tipo ARROW-B) com baixas atenuações |
