Películas de Si-ah: construção de um reator PECVD, estudo de técnicas de deposição e caracterizacao das películas.

• Ano de defesa: 1994
• Autor(a) principal: Bottecchia, João Paulo
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Microelectronics; Microeletrônica; Silício; Silicon
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22082024-092313/

O grande desenvolvimento da microeletrônica nos últimos anos está diretamente ligado ao desenvolvimento de novos materiais, entre eles, o silício amorfo hidrogenado e suas ligas. Entretanto, muito há para estudar-se sobre suas propriedades físicas a fim de aprimorar-se o seu desempenho em dispositivos. Várias técnicas tem sido utilizadas para a obtenção desses materiais. Dentre elas, a deposição química na fase vapor assistida por plasma (PECVD) destaca-se pela possibilidade de depositar-se em vários tipos de substrato, inclusive em grandes áreas, a baixas temperaturas. Com o objetivo de estudar-se as propriedades do silício amorfo e suas ligas, construiu-se um reator do tipo PECVD. Foram introduzidas inovações no reator a fim de se explorar a influência dos parâmetros de deposição sobre as propriedades optoeletrônicas do material. As modificações introduzidas foram estudadas em função das características de películas de silício amorfo não dopadas depositadas nesse reator. Foram feitas medidas de espectrometria de absorção óptica no visível e no infravermelho para obtenção do hiato óptico, do conteúdo e da forma de incorporação do hidrogênio; medidas de condutividade e fotocondutividade e de energia de ativação.