Caracterização elétrica de filmes finos de SiO2 - TEOS depositados por PECVD.

• Ano de defesa: 1998
• Autor(a) principal: Viana, Carlos Eduardo
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Chemical vapor deposition; Deposição química a vapor; Microelectronics (Processes); Microeletrônica (Processos); òxido de silício; Silicon oxide; Tetraethiorthosilicate; Tetraethiorthosilicato
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112024-145634/

Este trabalho reporta os resultados da caracterização elétrica de filmes finos de óxido de silício depositados por PECVD utilizando o TEOS como fonte orgânica de silício. Os filmes de óxido de silício foram depositados sobre lâminas de silício (100), tipo P, diâmetro de 75 mm e com resistividade entre 7 - 13 \'ômega\'cm. As técnicas de Elipsometria e FTIRS foram utilizadas para a caracterização dos filmes depositados. A caracterização elétrica foi realizada por meio da implementação de capacitores MOS, e a partir destes, foram extraídas as curvas; CV-AF, CV-BF e IE. A técnica TRXFA foi utilizada para se verificar os níveis de contaminação metálica provenientes do sistema de deposição. Como principais resultados, foram obtidos filmes de óxido de silício com alta uniformidade, tanto em espessura (\'> OU =\' 95%) como em índice de refração (\'> OU =\' 98%), e reprodutivos. As análises por FTIRS indicaram baixos níveis de incorporação de H, e uma melhor qualidade estrutural dos filmes de óxido de silício, em relação a trabalhos anteriores. As curvas CV-AF assinalaram a presença de um alta quantidade de cargas efetivas (\'Q IND.ss\' \'> OU =\' 1,42 x \'10 POT.12\'çm POT.-2\') nos capacitores devido aos altos níveis de contaminação metálica encontrados na câmara de reação (Fe = 4,574 X \'10 pot.-12 cm POT.-2\', Zn = 1,997 X \'10 POT -12 cm POT. -2\' e Cu = 2,409 X \'10 POT. -12 CM POT. -2\') medidos por TRXFA. Já as curvas IE nos mostraram baixas correntes de fuga (Ir <= 2,35 X\'10POT.-11\'A) e campos elétricos de ruptura em torno de 9,43 MV/cm, além de apresentarem características que indicam uma melhora na composição do filme depositado de óxido de silício.