Estudo e caracterização de filmes SIPOS para a passivação de dispositivos de potência.

• Ano de defesa: 2000
• Autor(a) principal: Ferreira, Eduardo dos Santos
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Filmes finos(Deposição química a vapor); Microelectronics (Processes); Microeletrônica (Processos); SIPOS; Thin films (Chemical vapor deposition)
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02102024-145515/

O presente trabalho apresenta o estudo e desenvolvimento de filmes finos de silício policristalino semi-isolante (SIPOS) depositados por LPCVD, a partir de silana e óxido nitroso, para a passivação de dispositivos semicondutores de potência.Mostramos que a taxa de deposição aumenta com a temperatura de processo e com o fluxo de silana e diminui para um aumento do fluxo de \'N IND.2\'O. A análise por XRD mostrou que os filmes SIPOS depositados apresentam uma estrutura microcristalina.As análises por RBS mostraram que a concentração de oxigênio aumenta com a temperatura de deposição e com o fluxo de óxido nitroso. As análises FTIRS mostraram a presença de ligações Si-O-Si, Si-H e Si-OH nos filmes depositados. A caracterizaçãoelétrica dos filmes SIPOS foi realizada utilizando capacitores MSS. A corrente de fuga destes capacitores aumenta com a diminuição do fluxo de óxido nitroso. Diodos de potência, fornecidos pela AEGIS Semicondutores Ltda., foram passivadosutilizando o filme SIPOS. Os diodos passivados apresentaram um aumento na tensão de ruptura da ordem de 10%. Deste modo mostramos a viabilidade da utilização de filmes SIPOS para a passivação de dispositivos semicondutores de potência.