Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: |
2000 |
Autor(a) principal: |
Ferreira, Eduardo dos Santos |
Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
Tipo de documento: |
Dissertação
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Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
Idioma: |
por |
Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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Departamento: |
Não Informado pela instituição
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País: |
Não Informado pela instituição
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Palavras-chave em Português: |
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Link de acesso: |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02102024-145515/
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Resumo: |
O presente trabalho apresenta o estudo e desenvolvimento de filmes finos de silício policristalino semi-isolante (SIPOS) depositados por LPCVD, a partir de silana e óxido nitroso, para a passivação de dispositivos semicondutores de potência.Mostramos que a taxa de deposição aumenta com a temperatura de processo e com o fluxo de silana e diminui para um aumento do fluxo de \'N IND.2\'O. A análise por XRD mostrou que os filmes SIPOS depositados apresentam uma estrutura microcristalina.As análises por RBS mostraram que a concentração de oxigênio aumenta com a temperatura de deposição e com o fluxo de óxido nitroso. As análises FTIRS mostraram a presença de ligações Si-O-Si, Si-H e Si-OH nos filmes depositados. A caracterizaçãoelétrica dos filmes SIPOS foi realizada utilizando capacitores MSS. A corrente de fuga destes capacitores aumenta com a diminuição do fluxo de óxido nitroso. Diodos de potência, fornecidos pela AEGIS Semicondutores Ltda., foram passivadosutilizando o filme SIPOS. Os diodos passivados apresentaram um aumento na tensão de ruptura da ordem de 10%. Deste modo mostramos a viabilidade da utilização de filmes SIPOS para a passivação de dispositivos semicondutores de potência. |