Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
1995 |
| Autor(a) principal: |
Morimoto, Nilton Itiro |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Tese
|
| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
|
| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
|
| Departamento: |
Não Informado pela instituição
|
| País: |
Não Informado pela instituição
|
| Palavras-chave em Português: |
|
| Link de acesso: |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-085306/
|
Resumo: |
Foi desenvolvido um sistema multicâmara integrado para a deposição de óxidos de silício dopados ou não com boro e/ou fósforo por R/PECVD (Deposição Química a Vapor Enriquecido por Plasma/Remoto) que consiste de três câmaras de processo (PECVD, RPECVD e RTP), uma câmara de inserção de amostras e uma câmara de manipulação de amostras. O sistema é altamente versátil e flexível, possibilitando várias seqüências de processos de deposição, crescimento e/ou tratamentos por plasma e térmicos. Foi caracterizado o processo de deposição PECVD e obtivemos filmes finos de óxido de silício não dopado com uniformidade > 97%, taxas de deposição de 300 a 500 nm/min, estequiometria O/\'SI\' aproximadamente igual a 2, baixa concentração de ligações OH, concentração de carbono não detectável por AES, baixo estresse intrínseco e boa cobertura de degrau. |
