Avaliação das características elétricas de filmes de \'Si\'\'O IND.2\' obtidos por deposição química a vapor enriquecida por plasma, a partir de fonte orgânica TEOS.

• Ano de defesa: 1997
• Autor(a) principal: Cardoso, Alvaro Romanelli
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Dióxido de silício; Filmes finos; Plasma; Silicon dioxide; Thin films
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-114955/

Para a implementação de circuitos integrados de integração muito ampla, a utilização de tecnologia de interconexão do tipo multiníveis se faz necessária. A isolação elétrica entre os diversos níveis e obtida tipicamente pelo uso de \'SI\'\'O IND.2\' que, neste caso, é depositado tipicamente por técnicas de CVD (Chemical Vapor Deposition). Em se utilizando linhas de interconexão de alumínio, a temperatura de deposição não deve exceder cerca de 400°C. Para esta temperatura, as técnicas relativamente comuns APCVD (Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition) e LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) não são indicadas, razão pela qual se utiliza técnica PECVD. Como reagente típico para a obtenção de \'SI\'\'O IND.2\' por reação com \'O IND.2\', encontra-se tipicamente a silana (\'SI\'\'H IND.4\') a qual traz como desvantagem o fato de ser de elevada periculosidade, além de apresentar limitações quanto ao grau de cobertura ou de preenchimento de trincheiras. Estas são minimizadas pela substituição da silana por TEOS (Tetra-Etil-Orto-Silicato). Implicito está que o dielétrico assim obtido deve apresentar características elétricas de isolação adequadas, além de ser estável a tratamentos de densificação (geralmente realizados quando da obtenção de \'SI\'\'O IND.2\' por processos de deposição) a fim de melhorar de forma geral suas características.