Avaliação da influência do ambiente no processo de obtenção do siliceto de titânio em fornos RTP operando no LSI-EPUSP.

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1993
Autor(a) principal: Costa, Yan Prucha Vieira da
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-23082024-095922/
Resumo: O presente trabalho foi motivado pela necessidade de melhor se conhecer os fornos RTPdo lSI-EPUSP: RTP-1, que utiliza uma resistência de grafite e o RTP-2 que usa lâmpadas, como fontes de radiação térmica. Como veículo de teste e caracterização destes fôrnos utilizou-se o siliceto de titânio por ser este material de obtenção viável e de viável análise pelas técnicas disponíveis: RBS (Rutherford Back Scattering), SEM (Scanning Electron Microscopy), XRD (x-ray diffraction), microscopia ótica e método das quatro pontas (para medida da resistência elétrica de folha). No presente trabalho foram utilizadas lâminas de silício sobre as quais foi depositado por sputtering um filme de 100 nm de titânio. A reação de silicetação foi realizada ou no forno RTP-1, em vácuo ou no forno RTP-2, em ambiente ou de nitrogênio ou de argonio. Os tempos de processo variaram de poucos segundos a minutos e as temperaturas foram de 650, 850 e 900°C. Os processos térmicos foram realizados em uma ou em duas etapas. As amostras foram ainda posteriormente submetidas a testes de estabilidade térmica (do material formado) através de um tratamento térmico a 900°C durante 30 minutos. Para cada ambiente de processo os resultados obtidos conduzem a conclusões que, reunidas permitiram elaborar um modelo sobre formação e estabilidade térmica do siliceto.