Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
1995 |
| Autor(a) principal: |
Romanelli, Cláudia Côrtes |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-08082024-073127/
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Resumo: |
As estruturas CMOS cavidades duplas e CMOS cavidades gêmeas representam tecnologias-base utilizadas em dispositivos de última geração. Comparações entre os dois tipos de estrutura visam estudar a melhor profundidade da cavidade do mesmo tipo do substrato, com relação ao comportamento do transistor imerso na cavidade alterada e parâmetros de isolação. O trabalho apresentado a seguir concentrou-se na comparação entre as duas estruturas CMOS através do efeito tiristor parasitário, uma das principais limitações a redução de dimensões em dispositivos VLSI. Este efeito é diretamente ligado as dimensões dos dispositivos e também ao perfil das cavidades. O estudo teórico das duas estruturas foi feito através dos simuladores supremiii, supremiv e piscesiib. Segue-se a produção de lâminas de teste com diodos, jfet\'s de cavidade e tiristores parasitários para as medidas elétricas comparativas. Os resultados teóricos e práticos são confrontados de modo a compor uma análise do comportamento do latch-up para as estruturas CMOS em questão. |
