Comparação de ferramentas para modelamento de indutores na tecnologia CMOS.

• Ano de defesa: 2007
• Autor(a) principal: Anjos, Angélica dos
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Circuitos integrados MOS; Inductors (modelling); Indutores (modelagem); Integrated inductors MOS
• Link de acesso: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27072007-145121/

Duas ferramentas para modelamento de indutores planares, retangulares e integrados e as equações analíticas implementadas em um software, foram estudadas e analisadas, para determinar qual é a mais apropriada, ou seja, aquela que fornece os resultados mais próximos de medidas experimentais, com menor custo, maior velocidade, etc. Indutores planares integrados apresentam limitações severas em seu uso. As duas principais são: o baixo valor do fator de qualidade, que limita o ganho e a banda nos amplificadores e filtros que os utilizam; e a dificuldade no seu modelamento e na determinação dos parâmetros que os caracterizam. Apesar das dificuldades no uso destes dispositivos, eles são aplicados em diversos sistemas, tais como transceptores que operam em rádio freqüências. Nestes sistemas, indutores são necessários e sua integração é essencial para se obter soluções completamente integradas. As ferramentas estudadas para o modelamento de indutores neste trabalho foram: ASITIC e SONNET. As equações analíticas foram implementadas no MATLAB. A comparação entre as ferramentas e as equações foi feita por meio de cinco indutores construídos e medidos. Os indutores foram fabricados em tecnologia CMOS de 0,35 µm com quatro camadas de metal. Para realizar a correta comparação entre os resultados simulados e as medidas elétricas, reduzindo ao máximo a interferência de elementos parasitas (inclusos pelos pads), os indutores foram inseridos em estruturas de teste. Estruturas de caracterização apropriadas foram também projetadas para permitir a eliminação do efeito das estruturas de teste sobre as medidas.