Comparação entre as estruturas CMOS cavidades duplas e CMOS cavidades gêmeas com relação ao efeito tiristor parasitário. - Romanelli, Cláudia Côrtes (1995)
As estruturas CMOS cavidades duplas e CMOS cavidades gêmeas representam tecnologias-base utilizadas em dispositivos de última geração. Comparações entre os dois tipos de estrutura visam estudar a melhor profundidade da cavidade do mesmo tipo do substrato, com relação ao comportamento do transistor imerso na cavidade alterada e parâmetros de isolação. O trabalho apresentado a seguir concentrou-se na comparação entre as duas estruturas CMOS através do efeito tiristor parasitário, uma das principais limitações a redução de dimensões em dispositivos VLSI. Este efeito é diretamente ligado as dimensões dos dispositivos e também ao perfil das cavidades. O estudo teórico das duas estruturas foi feito através dos simuladores supremiii, supremiv e piscesiib. Segue-se a produção de lâminas de teste com diodos, jfet\'s de cavidade e tiristores parasitários para as medidas elétricas comparativas. Os resultados teóricos e práticos são confrontados de modo a compor uma análise do comportamento do latch-up para as estruturas CMOS em questão.