Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
1990 |
| Autor(a) principal: |
Kawano, Mario |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16012025-150224/
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Resumo: |
Construiu-se um forno para recozimento de laminas de silício pelo processo R.T.P. (Recozimento Térmico Rápido). A fonte de calor utilizada foi uma resistência de grafite. 0 forno opera com vácuo que chega à ordem de 3 E-07 Torr. Com a utilização de antecâmara para manter o vácuo na câmara de processo mesmo durante a introdução da amostra, o tempo de recozimento é da ordem de minutos. Para medição de temperatura usou-se pirômetro ótico e termopar, este último colado a uma amostra de teste. A temperatura de operação do forno pode variar desde 400 a 1 .300ºC. Durante a caracterização foi observado os transientes de temperatura em amostra pouco e muito dopado. Com microscópio eletrônico de varredura foi feito o estudo da morfologia para amostras de silicetos. |
