Transmissividade de Spins Polarizados em dupla barreira simétrica
Ano de defesa: | 2012 |
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Autor(a) principal: | |
Outros Autores: | |
Orientador(a): | |
Banca de defesa: | |
Tipo de documento: | Dissertação |
Tipo de acesso: | Acesso aberto |
Idioma: | por |
Instituição de defesa: |
Universidade Federal do Amazonas
Instituto de Ciências Exatas Brasil UFAM Programa de Pós-graduação em Física |
Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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Departamento: |
Não Informado pela instituição
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País: |
Não Informado pela instituição
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Palavras-chave em Português: | |
Link de acesso: | http://tede.ufam.edu.br/handle/tede/4547 |
Resumo: | Neste trabalho, a técnica da matriz de espalhamento é usada para calcular a transmissividade de spins polarizados através de heteroestruturas semicondutoras de dupla barreira simétrica. O movimento de elétrons de condução são descritos na aproximação da massa efetiva do modelo completo de Dresselhaus. A transmissividade e a polarização são calculadas como função da energia do elétron para kjj = 0; 5x106cm1, kjj = 1x106cm1 e kjj = 2x106cm1 com vários valores de , para um sistema GaSb=GaxAl1xSb=GaSb=GaxAl1xSb=GaSb. Fixando o momento paralelo kjj e variando = 30o, 45o, 60o e 90o, observamos que as posições dos picos ressonantes variam fracamente com a energia e as curvas de transmissão mudam mais fortemente nas regiões fora da ressonância, com a polarização atingindo valores entre 54%!82% nos níveis ressonantes. Para a direção = 45o, o spin-mixing produz uma eficiência de polarização de quase 100%. Ao aplicarmos uma tensão externa, os picos de transmissividade e spin polarização sofrem um desclocamento para regiões de energias mais baixas. |