Transmissividade de spins polarizados em dupla barreira assimétrica

• Ano de defesa: 2009
• Autor(a) principal: Teixeira, José Dilson da Silva
• Outros Autores: http://lattes.cnpq.br/5717081374450972
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade Federal do Amazonas; Instituto de Ciências Exatas; BR; UFAM; Programa de Pós-graduação em Física
• Palavras-chave em Português: Spins polarizados; Heteroestruturas semicondutoras; Engenharia; Spins polarized; Semiconductor heterostructures; Engineering; CIÊNCIAS EXATAS E DA TERRA: FÍSICA
• Link de acesso: http://tede.ufam.edu.br/handle/tede/3460

A técnica da matriz de espalhamento é usada para calcular a transmissividade de spins polarizados, através de heteroestruturas semicondutoras de dupla barreira assimétrica. O movimento de elétrons de condução são descritos na aproximação da massa efetiva dos modelos de Dresselhaus-Rashba. A transmissividade e a polarização são calculadas como função da energia do elétron para kk = 0, 5×106 cm−1, kk = 1×106 cm−1, kk = 1, 5×106 cm−1 e kk = 2×106 cm−1, com vários valores de φ, para um sistema InAs/GaSb/InAs/GaSb/InAs. Fixando o momento paralelo kk e variando φ = 0◦, 15◦, 30◦, 60◦, 75◦, e 90◦ observamos que as posições dos picos ressonantes variam fracamente com a energia e as curvas de transmissão mudam mais fortemente nas regiões fora da ressonância com a polarização atingindo valores entre 10% −→ 82% nos níveis ressonantes. Para as direções φ = 45◦ e 135◦ o spin mixing produz uma eficiência de polarização de 100% e os efeitos das interações spin-órbita de Dresselhaus e Rashba mostram-se bastante favoráveis à engenharia na fabricação de filtrode spin e dispositivos spintrônicos.