Transmissividade de Spins Polarizados em dupla barreira simétrica

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2012
Autor(a) principal: Marques, Efraim Fernandes
Outros Autores: http://lattes.cnpq.br/4482974955077098
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Universidade Federal do Amazonas
Instituto de Ciências Exatas
Brasil
UFAM
Programa de Pós-graduação em Física
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Link de acesso: http://tede.ufam.edu.br/handle/tede/4547
Resumo: Neste trabalho, a técnica da matriz de espalhamento é usada para calcular a transmissividade de spins polarizados através de heteroestruturas semicondutoras de dupla barreira simétrica. O movimento de elétrons de condução são descritos na aproximação da massa efetiva do modelo completo de Dresselhaus. A transmissividade e a polarização são calculadas como função da energia do elétron para kjj = 0; 5x106cm􀀀1, kjj = 1x106cm􀀀1 e kjj = 2x106cm􀀀1 com vários valores de , para um sistema GaSb=GaxAl1􀀀xSb=GaSb=GaxAl1􀀀xSb=GaSb. Fixando o momento paralelo kjj e variando = 30o, 45o, 60o e 90o, observamos que as posições dos picos ressonantes variam fracamente com a energia e as curvas de transmissão mudam mais fortemente nas regiões fora da ressonância, com a polarização atingindo valores entre 54%􀀀!82% nos níveis ressonantes. Para a direção = 45o, o spin-mixing produz uma eficiência de polarização de quase 100%. Ao aplicarmos uma tensão externa, os picos de transmissividade e spin polarização sofrem um desclocamento para regiões de energias mais baixas.