Estudo e caracterização da deposição eletropolitica de CdTe sobre Pt para uso em dispositivos fotovoltaicos

• Ano de defesa: 2015
• Autor(a) principal: Aguiar, José Hugo de
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade Estadual do Ceará
• Palavras-chave em Português: CDTE; Eletrodeposição; Platina
• Link de acesso: https://siduece.uece.br/siduece/trabalhoAcademicoPublico.jsf?id=83358

<div style="">Neste trabalho é apresentado o estudo e a caracterização da eletrodeposição do material semicondutor CdTe sobre o substrato platina a temperatura ambiente (24°C) a partir de eletrólito ácido-sulfato. Para esse efeito, foram utilizadas as técnicas eletroquímicas associadas à técnica de difratometria de raios-X, Microscopia eletrônica de varredura (MEV) e Medidas de capacitância. Foram verificados que os valores de potencial iguais a -114, -151, -205, -271 e -352 mV, onde ocorrem etapas distintas do processo global da deposição do CdTe. O surgimento do pico catódico e a posterior formação de um patamar de corrente, sugerem que está ocorrendo o controle misto no processo de deposição do filme de CdTe, sejam estes, controle por ativação e controle por transporte de massa na solução. Por outro lado, o aparecimento do pico anódico em valores de potencial positivo indica a dissolução completa do material. A partir dos valores indicados de potencial, foi conduzida a técnica potenciostática. Foi notado que o aumento da carga depositada de CdTe é diretamente proporcional ao aumento do potencial catódico de deposição. No entanto, tem-se que no potencial de -205 mV e 352 mV, isto não acontece. Os filmes de CdTe depositados potenciostaticamente, nos potenciais – 114, - 151, - 205, - 271 e – 352 mV, apresentaram padrão de difração de raios-X para a fase cúbica do CdTe, onde se tem um pico de maior intensidade referente ao plano (220). Através dos resultados do MEV foi verificado que os filmes depositados apresentarão morfologia característica de estrutura granular. Foi evidenciado a partir das medidas de capacitância (Mott-Schottky) que os filmes de CdTe depositados apresentaram características de um semicondutor tipo n. De um modo geral, tem-se que, a partir do ajuste de parâmetros eletroquímicos (especificamente, o potencial de deposição), é possível ter o controle das características estruturais e cristalográficas do filme de CdTe. Portanto, o estabelecimento daqueles parâmetros permite definir as propriedades do material semicondutor com fins na aplicação em dispositivos fotovoltaicos. Palavras-chave: Eletrodeposição. CdTe. Caracterização. Platina.</div>