Crescimento e caracterização de filmes espessos de CdTe para a fabricação de detectores de raios-X

• Ano de defesa: 2010
• Autor(a) principal: Santos, José Antônio Duarte
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade Federal de Viçosa; BR; Física Teórica e Computacional; Preparação e Caracterização de Materiais; Sensores e Dispositivos.; Mestrado em Física Aplicada; UFV
• Palavras-chave em Português: CdTe; Detector de raios-x; Filme epitaxial; HWE; X-ray detectors; Epitaxy film; CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA::FISICA DA MATERIA CONDENSADA
• Link de acesso: http://locus.ufv.br/handle/123456789/4240

A presença de detectores de radiação nuclear é de extrema importância em várias indústrias como, por exemplo, a médica, a astronômica e de segurança nacional. Existem inúmeros tipos de detectores. Um deles, o detector construído com ligas semicondutoras de CdTe e CdZnTe, tem se tornado bastante popular devido às características peculiares como: praticidade, densidade, resolução energética e pela possibilidade de operarem a temperatura ambiente. Neste trabalho, faremos uma revisão de detectores de radiação nuclear, especialmente dos construídos com semicondutores. Apresentamos também métodos de caracterização estrutural, superficial e elétrica de amostras a fim de informar qual tipo de amostra é a mais viável para tal finalidade. Mostramos os resultados do crescimento de filmes espessos de CdTe, utilizando a técnica de Epitaxia de Paredes Quentes (HWE) nas temperaturas de 150 C e 250 C sobre Si (111), vidro simples e vidro coberto com óxido de estanho dopado com flúor. São também apresentados os resultados de caracterização dos filmes de CdTe por difração de raios-X e caracterização elétrica através de curvas I x V do filme.