ESTUDO E CARACTERIZAÇÃO DA DEPOSIÇÃO ELETROLÍTICA DE CdTe SOBRE Pt PARA USO EM DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS

• Ano de defesa: 2015
• Autor(a) principal: SOUSA, JOSÉ HUGO DE AGUIAR
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade Estadual do Ceará
• Palavras-chave em Português: CDTE; Eletrodeposição; Platina
• Link de acesso: https://siduece.uece.br/siduece/trabalhoAcademicoPublico.jsf?id=83358

<div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">RESUMO</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">Neste trabalho é apresentado o estudo e a caracterização da eletrodeposição do</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">material semicondutor CdTe sobre o substrato platina a temperatura ambiente (24°C)</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">a partir de eletrólito ácido-sulfato. Para esse efeito, foram utilizadas as técnicas&nbsp;</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">eletroquímicas associadas à técnica de difratometria de raios-X, Microscopia&nbsp;</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">eletrônica de varredura (MEV) e Medidas de capacitância. Foram verificados que os&nbsp;</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">valores de potencial iguais a -114, -151, -205, -271 e -352 mV, onde ocorrem etapas&nbsp;</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">distintas do processo global da deposição do CdTe. O surgimento do pico catódico e&nbsp;</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">a posterior formação de um patamar de corrente, sugerem que está ocorrendo o&nbsp;</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">controle misto no processo de deposição do filme de CdTe, sejam estes, controle por&nbsp;</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">ativação e controle por transporte de massa na solução. Por outro lado, o&nbsp;</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">aparecimento do pico anódico em valores de potencial positivo indica a dissolução&nbsp;</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">completa do material. A partir dos valores indicados de potencial, foi conduzida a&nbsp;</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">técnica potenciostática. Foi notado que o aumento da carga depositada de CdTe é&nbsp;</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">diretamente proporcional ao aumento do potencial catódico de deposição. No entanto,&nbsp;</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">tem-se que no potencial de -205 mV e 352 mV, isto não acontece. Os filmes de CdTe&nbsp;</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">depositados potenciostaticamente, nos potenciais – 114, - 151, - 205, - 271 e – 352&nbsp;</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">mV, apresentaram padrão de difração de raios-X para a fase cúbica do CdTe, onde&nbsp;</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">se tem um pico de maior intensidade referente ao plano (220). Através dos resultados&nbsp;</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">do MEV foi verificado que os filmes depositados apresentarão morfologia&nbsp;</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">característica de estrutura granular. Foi evidenciado a partir das medidas de&nbsp;</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">capacitância (Mott-Schottky) que os filmes de CdTe depositados apresentaram&nbsp;</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">características de um semicondutor tipo n. De um modo geral, tem-se que, a partir do&nbsp;</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">ajuste de parâmetros eletroquímicos (especificamente, o potencial de deposição), é&nbsp;</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">possível ter o controle das características estruturais e cristalográficas do filme de&nbsp;</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">CdTe. Portanto, o estabelecimento daqueles parâmetros permite definir as&nbsp;</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">propriedades do material semicondutor com fins na aplicação em dispositivos&nbsp;</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">fotovoltaicos.</span></font></div><div style=""><font face="Arial, Verdana"><span style="font-size: 13.3333px;">Palavras-chave: Eletrodeposição. CdTe. Caracterização. Platina.</span></font></div>