Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
2010 |
| Autor(a) principal: |
Lima, Francisco Anderson de Sousa |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Universidade Estadual do Ceará
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
https://siduece.uece.br/siduece/trabalhoAcademicoPublico.jsf?id=60028
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Resumo: |
A técnica utilizada para a deposição de filmes finos sobre um substrato metálico é eletrodeposição catódica, que apresenta as vantagens de ser uma técnica simples com baixa temperatura de operação, fácil controle e boa eficiência. Além dessas vantagens possibilita a deposição de filmes semicondutores do tipo p ou do tipo n, variando-se apenas o potencial de deposição. Neste trabalho, tem-se a investigação do processo de eletrodeposição de CdTe sobre substrato de titânio. Para este efeito, foi conduzida a técnica de voltametria cíclica, a fim de estabelecer os valores de potencial de deposição (-100, -150, -165, 180 e -200 mV). O pH da solução foi fixado em 1,8. A temperatura de trabalho foi de 80o C. Os filmes de CdTe eletrodepositados foram caracterizados através das técnicas de caracterização de superfície, sejam elas a técnica de microscopia eletrônica de varredura (MEV), de espectroscopia de análise da energia dispersiva por raios-X (EDX) e de difração de raios-X (DR-X). Foi verificado que os filmes depositados nos diferentes potenciais apresentam aspecto morfológico semelhante, em forma de glóbulos. Foi constatado que, em valores de potencial de deposição menores que -200 mV ocorre a deposição de estrutura dendrítica. Todavia, este fato não ocorre para valores de potencial igual a -150, -165 e -180 mV. A análise por EDX revelou que a razão estequiométrica atômica Cd/Te é de 1:1. Foi verificado que o filme de CdTe apresenta a fase CdTe, tem-se os picos de difração associados aos planos (111) e (311) de maiores intensidades relativas, indicando certa orientação preferencial de crescimento do eletrodepósito. Concluiu-se que na eletrodeposição de CdTe, há a forte influência do potencial, caracterizando a formação de filme fino em -180 mV. E, por outro lado, foi constatado que os eletrodepósitos crescidos nos diferentes valores de potencial não apresentam orientação de crescimento preferencial. Palavras-chave: energia solar, CdTe, eletrodeposição. |
