Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: |
2007 |
Autor(a) principal: |
Moura, Carlos Eduardo Bezerra de |
Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
Tipo de documento: |
Tese
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Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
Idioma: |
por |
Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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Departamento: |
Não Informado pela instituição
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País: |
Não Informado pela instituição
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Palavras-chave em Português: |
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Link de acesso: |
http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/10/10132/tde-16012008-103754/
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Resumo: |
As propriedades da superfície do implante têm papel crítico na indução das respostas celulares necessárias para o sucesso do implante. Os objetivos deste trabalho foram investigar o efeito do bombardeamento com íons de argônio sobre a superfície de titânio comercialmente puro (TiCP) e sua influencia na interação célula-superfície. Superfícies bombardeadas e lisas foram avaliadas quanto à topografia, rugosidade e molhabilidade. Ensaios de adesão, proliferação, atividade de fosfatase alcalina (ALP) e expressão de osteocalcina (OC) foram conduzidos usando células MC3T3-E1 cultivadas sobre essas duas diferentes superfícies. Os níveis de rugosidade na superfície bombardeada e lisa foram 0,11µm and 0,027µm, respectivamente. A Microscopia eletrônica de Varredura (MEV) e Microscopia de força atômica (AFM) também revelaram rugosidade uniforme nestas amostras. A molhabilidade foi maior na superfície bombardeada. O número de células aderidas (30 e 60 min) foi significativamente maior sobre a superfície bombardeada. A proliferação celular depois de 3 e 7 dias também foi maior na superfície bombardeada. A atividade de ALP e expressão de OC não apresentaram diferença significativa entre as superfícies. Esses dados nos levam a propor que a técnica processamento a plasma em atmosfera de argônio com uso de cátodo planar é uma excelente ferramenta para obtenção de biomateriais que favoreçam a osseointegração. |