Sobrevida e perda marginal óssea de implantes de diâmetro estreito de liga titânio-zircônia e titânio puro

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2018
Autor(a) principal: Iegami, Carolina Mayumi
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Link de acesso: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/23/23150/tde-14112018-112749/
Resumo: Apesar da existência de diversos estudos que validem o uso de implantes de diâmetro estreito, a maioria é baseada em ligas de titânio puro. Há pouca evidência clínica em relação ao sucesso do implantes de diâmetro estreito de titânio-zircônia (TiZr NDIs), no que diz respeito à taxa de sobrevida (SR) e perda óssea marginal (MLB). O objetivo desta revisão sistemática foi analisar sistematicamente SR, assim como MBL de TiZr NDIs quando comparados a implantes de diâmetro estreito de titânio comercialmente puro (cpTi NDIs). A busca foi conduzida nas bases Medline/Pubmed, Cochrane, Scopus e Embase (do ano 2000 a novembro de 2016). Foram incluídos estudos clínicos do tipo coorte e randomizados. Dos 3453 artigos inicialmente identificados, foram incluídos seis estudos clínicos. Não houve diferença estatisticamente significante em taxa de sobrevida quando comparados os grupos TiZr NDIs e cpTi NDIs, em um ano de acompanhamento (p=0,5), além disso, também não houve diferença na comparação entre região de implantação (anterior ou posterior) no grupo TiZr NDIs. Não houve diferença entre os grupos anterior e posterior em relação à taxa de sobrevida em um ano: -0,01 (95% CI, -0,05 a 0,03) e perda óssea marginal: -0,01 mm (95% CI: -0,14 a 0,12). Pode-se concluir que TiZr NDIs apresentam taxas de sucesso e reabsorção óssea peri-implantar similares às de cpTi NDis.