Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos

• Ano de defesa: 2004
• Autor(a) principal: Lamas, Tomás Erikson
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Dispositivos optoeletrônicos; Dopagem; Doping; Epitaxia por feixe molecular; Filmes finos; Fisica do estado sólido; Molecular beam epitaxy; Optoelectronic devices; Parabolic quantum wells; poço quântico parabólico; Semiconductors; Semicondutores; Solid state physics; Thin films
• Link de acesso: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/

Durante as últimas três décadas, a epitaxia por feixe molecular se estabeleceu como uma técnica excelente para o crescimento de camadas semicondutoras de alta qualidade, tanto para a construção de dispositivos quanto para a pesquisa básica. No entanto ainda não existe um método universalmente aceito para obter-se camadas dopadas do tipo p nesta técnica de crescimento. Neste trabalho, estudamos, otimizamos e comparamos três diferentes métodos para a dopagem de camadas de GaAs do tipo p. Dois desses métodos exploraram o caráter anfotérico do silício em substratos de GaAs(311)A (através da mudança das condições de crescimento) e GaAs(100) (aplicando uma nova técnica chamada epitaxia assistida por gotas (droplets) de gálio). O terceiro método foi baseado no uso do carbono, cujas propriedades como dopante do tipo p são bem conhecidas em outras técnicas de crescimento epitaxial, mas pouco estudadas na epitaxia por feixe molecular. Para verificar a qualidade das camadas dopadas obtidas, crescemos estruturas como poços quânticos parabólicos com alta mobilidade de buracos e dispositivos optoeletrônicos como diodos emissores de luz e laseres.