Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
2024 |
| Autor(a) principal: |
Souza, Leonardo Dias de |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Não Informado pela instituição
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
https://repositorio.uel.br/handle/123456789/12335
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Resumo: |
Resumo: Neste trabalho estudamos pontos quânticos – QDs (quantum dots) de InAs auto-organizados crescidos sobre o GaAs, formando uma estrutura convencional de quantum dots, e crescidos no interior de um poço quântico de In14Ga86As/GaAs, formando uma estrutura denominada DWELL (dot-in-a-well) Utilizamos cinco amostras de QDs de InAs crescidas através da técnica de Epitaxia por Feixe Molecular – MBE (Molecular Beam Epitaxy), sendo três delas crescidas sobre o GaAs e duas crescidas no interior do poço quântico de In14Ga86As/GaAs As amostras foram crescidas através de deposição contínua e pulsada do InAs usando diferentes taxas de crescimento nas amostras crescidas por deposição contínua Para efeito de comparação foi preparada uma amostra que consiste de um poço quântico simples de In14Ga86As/GaAs com a mesma largura efetiva do poço presente nas amostras DWELL A caracterização óptica das amostras foi feita através da técnica de fotorefletância – PR (photoreflectance) no intervalo de temperatura de 12 K a 3 K Através dos espectros de PR analisamos a origem das transições observadas, a influência dos diferentes modos de crescimento sobre a energia das transições dos pontos quânticos e estimamos o tamanho dos QDs convencionais |
