Níveis profundos associados a vacância e nitrogênio em diamante

• Ano de defesa: 1985
• Autor(a) principal: Alves, Horacio Wagner Leite
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: CNDD/BW; Deep Levels; Defeitos Pontuais; Diamante; Diamond; Electronic Structure; Espalhamento Múltiplo; Estrutura Eletrônica; Impurezas Substitucionais; Multiple Scattering; nitrogen; Nitrogênio; Níveis Profundos; Punctual defects; Semiconductors; Semicondutores; substitutional impurities; Vacância; Vacancy
• Link de acesso: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-01042014-092413/

Neste trabalho estudamos a estrutura eletrônica de defeitos pontuais em diamante , os quais introduzem níveis profundos na faixa proibida deste material. Utilizamos o modelo de aglomerado molecular dentro de dois formalismos: o Método do Espalhamento Múltiplo X (MS- X), que é um método de primeiros princípios e o método \"Complete Neglect of Differential Overlap\" (CNDO/ BW), que é semi-empírico. Foi empregado um tratamento adequado para os orbitais de superfície em cada um dos dois formalismos . Foram estudados dois sistemas: o Nitrogênio substitucional e a vacância simples. Para o Nitrogênio, analisamos as possíveis distorções associadas a este centro, procurando interpretar os resultados experimentais. A vacância simples mostrou-se ser um sistema bastante semelhante à vacância simples em Silício: em ambos os casos observa - se uma distorção Jahn-Teller. O modelo adotado mostrou- se capaz de descrever satisfatoriamente as estruturas eletrônicas dos dois centros estudados, fornecendo resultados quantitativos que são comparados com a experiência .