Propriedades físicas de impurezas de níquel em diamante

• Ano de defesa: 2003
• Autor(a) principal: Mamani, Rolando Larico
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Electronic properties; Diamond; Impurities; Nickel; FP-LAPW.; Propriedades Eletrônicas; Diamante; Impurezas; Níquel; FP-LAPW.
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-06072022-165019/

As várias possibilidades de aplicações tecnológicas que o material de diamante permite na indústria de dispositivos impulsionou os avanços de fabricação de amostras de diamante sintético de alta qualidade. O diamante sintético crescido pela técnica de alta pressão e alta temperatura (HPHT - High Pressure-High Temperature) utiliza ligas de metais de transição como solvente-catalizadores. Dentre as várias impurezas de metal de transição introduzidas no material resultante, as impurezas de níquel são as mais bem caraterizadas, pois os centros relacionados com Ni apresentam características especiais nestas amostras sintéticas. Medidas de absorção óptica e de ressonância paramagnética eletrônica têm identificado vários centros relacionados com a impureza de níquel em diamante, tanto isolados como complexos envolvendo defeitos intrínsecos ou dopantes. Entretanto, existem ainda muitas dúvidas sobre a estrutura microscópica destes centros. Neste trabalho apresentamos uma investigação teórica das propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas relacionadas com níquel em diamante. Utilizamos um método de primeiros princípios, a saber, a aproximação FP-LAPW (Full Potential Linearized Augmented Plane Wave), a qual se baseia na teoria do funcional da densidade e tem se mostrado uma poderosa ferramenta na descrição das propriedades físicas de materiais. Obtivemos a estrutura eletrônica, a simetria, as energias de transição e formação e os parâmetros hiperfinos de vários centros. Com base em nossos resultados para impurezas isoladas de Ni, associadas aos sítios substitucional e intersticial tetraédrico, assim como para complexos de Ni-divacância, propomos novos modelos microscópicos para alguns destes centros.