CORRECAO DO POTENCIAL MUFFIN-TIN: ANTISITIO EM GaAs

• Ano de defesa: 1990
• Autor(a) principal: Ferreira, Antonio Cesar
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Aglomerado molecular; Defects and impurities in GaAs; Defeitos e impurezas em GaAs; Electronic structure; Espalhamento múltiplo-X?; Estrutura eletrônica; Molecular cluster; Quantum mechanics; X?-multiple scattering
• Link de acesso: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-08062015-155921/

Devido à inconfiabilidade do modelo EM-X?, no cálculo da energia total, consideramos uma correção na densidade de carga \"muffin-tin\". Com esta correção podemos ajustar a energia total, a partir de parâmetros definidos na teoria. O objetivo deste trabalho é o estudo da curva da energia total associada ao estado excitado do sistema GaAs: AsGa, quando o átomo substitucional de As se desloca na direção . Partindo de cálculos de primeiros princípios (LARGE UNIT CELL APPROACH), reproduzimos a curva da energia total do estado fundamental. A partir dos parâmetros encontrados na correção não \"muffin-tin\" da densidade de carga, calculamos a curva do estado excitado utilizando o conceito de estado de transição de Slater. Nossos resultados mostraram que o efeito Jahn-TeIler não ocorre para defeitos tipo antisítio. Vimos também que a curva do comportamento dos autovalores com o deslocamento do átomo substitucional, está de acordo com cálculos recentes encontrados na literatura.