Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: |
1998 |
Autor(a) principal: |
Hashimoto, Alexandre Ichiro |
Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
Tipo de documento: |
Dissertação
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Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
Idioma: |
por |
Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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Departamento: |
Não Informado pela instituição
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País: |
Não Informado pela instituição
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Palavras-chave em Português: |
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Link de acesso: |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11102024-104454/
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Resumo: |
Neste trabalho, foram feitas deposições de filmes finos de cobre por processo eletroquímico espontâneo (solução de HF contaminada com cobre) ou por processo de evaporação sobre lâminas de silício (100). A tensão mecânica resultou menor para osfilmes depositados eletroquimicamente comparado aos filmes evaporados. Tal fato indica que os filmes depositados por processo eletroquímico espontâneo são menos susceptíveis a quebras ou trincas comparado aos filmes evaporados. Por outro lado, a resistividade para os filmes eletroquímicos resultou maior comparado aos filmes evaporados, o que foi mostrado ser um indício de que os filmes eletroquímicos são mais porosos. Observou-se, também, que quase não existe variação da tensão mecânicacom o aumento da espessura para o processo de deposição por evaporação. Do estudo da morfologia, verificou-se que os filmes obtidos a partir de uma solução diluída de ácido fluorídrico contaminada com sulfato de cobre são mais aderentes, compactos e lisos comparados aos filmes obtidos em solução diluída de ácido fluorídrico contaminada com cloreto de cobre. Um fato notável foi que a adição de hidróxido de amônia na solução diluída de ácido fluorídrico contaminada com cloreto de cobre resultou em filmes aderentes, lisos e com menor tamanho de grão em contraste com a forma floculada e pouco aderente dos filmes obtidos em solução diluída de ácido fluorídrico contaminada com cloreto de cobre sem adição de hidróxido de amônia. |