[en] GAAS FET MICROWAVE OSCILLATORS
| Ano de defesa: | 2008 |
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| Autor(a) principal: | |
| Orientador(a): | |
| Banca de defesa: | |
| Tipo de documento: | Tese |
| Tipo de acesso: | Acesso aberto |
| Idioma: | por |
| Instituição de defesa: |
MAXWELL
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: | |
| Link de acesso: | https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=11246&idi=1 https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=11246&idi=2 http://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.11246 |
Resumo: | [pt] Este trabalho apresenta sistemáticas para projetos de osciladores de microondas empregando basicamente como elemento ativo o transistor FET GaAs em várias configurações. Inicialmente o modelamento a pequenos sinais é estudado e um projeto é desenvolvido para comprovação experimental. Determinações de redes adaptadoras de saídas para o oscilador são apresentadas. A teoria básica de osciladores de microondas a resistência negativa é mostrada com o intuito de modelar o dispositivo ativo em nível de grandes sinais. Um estudo de ruído em osciladores de microondas também é desenvolvido para uma melhor caracterização dos osciladores. Osciladores de microondas estabilizados a ressoadores dielétricos são estudados e um projeto numa configuração original é realizado. Programas Auxiliares de Projetos (PAP) prórpios para calculadoras programáveis de mesa foram desenvolvidos e testados nos projetos apresentados. |