Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
1992 |
| Autor(a) principal: |
Ceschin, Artemis Marti |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Tese
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-06022014-104232/
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Resumo: |
Utilizando a técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE), crescemos heteroestruturas tensionadas de InxGa1-xAs sobre substratos de GaAs (100). A composição de In, a espessura para a transição 2D-3D e a espessura crítica (hc) foram determinadas através da análise \"in situ\" pelo RHEED. Os valores da hc e da espessura para a transição 2D- 3D foram observadas ser funções da composição do In e da temperatura do substrato. Um estudo do efeito da desorientação do substrato de GaAs (100) de alguns graus sobre as qualidades ópticas (PL) de poços quânticos simples e múltiplos de InxGa1-xAs/GaAs também foi realizado. Microscopia eletrônica por transmissão (TEM) foi utilizada para a verificação da qualidade das interfaces dos poços quânticos de InxGa1-x/GaAs. Algumas estruturas de dupla barreira (AlGaAs/GaAs/InAs/GaAs/AlGaAs) foram crescidas e caracterizadas opticamente (PL) |
