Desenvolvimento de uma estrutura de duplo nível de metal para a confecção de interconexões em circuitos integrados.

• Ano de defesa: 1996
• Autor(a) principal: Pereira, Jose Augusto de Alencar Mendes
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Alumínio; Aluminum; Circuitos integrados; Integrated circuits; Interconexões metálicas; Metallic interconnections; Silicio; Silicon
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18112024-152608/

Estruturas de multicamadas de metal são amplamente utilizadas em interconexões de circuitos integrados de alta performance. O estabelecimento de um processo tecnológico para a obtenção dessas estruturas é uma evolução natural dos trabalhos de pesquisa em microeletrônica realizados na EPUSP. Com este objetivo, foi desenvolvido um processo pioneiro para confecção de uma estrutura de dupla camada de metal com dimensões mínimas de 2-3\'MICROMETROS\' usando a liga \'AL\'/\'SI\' (1%). Foram analisados aspectos teóricos referentes ao primeiro nível de metal, dando ênfase a caracterização das resistências de contato metal-semicondutor. Utilizando um sistema automático de medidas e estruturas de teste, foram levantados os valores experimentais das resistências (e resistividades) de contato entre a liga metálica e o silício (tipo \'N POT.+\' E \'P POT.+\') Em função das dimensões de contato, tendo as concentrações de superfície como parâmetro. Dois tipos de camada intermetálica foram confeccionadas e caracterizadas: a primeira (não planarizada) constituída de uma camada única de óxido (\'SI\'\'O IND.2\') e a segunda (planarizada) constituída de uma tripla camada (\'SI\'\'O IND.2\'/sog/\'SI\'\'O IND.2\'). Os depósitos de óxido foram realizados por meio de reator \"Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition\" à temperatura de 360°C tendo o tetraetilortosilicato (TEOS) como fonte e oxigênio como gás portador.