Desenvolvimento de uma estrutura de duplo nível de metal para a confecção de interconexões em circuitos integrados.

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1996
Autor(a) principal: Pereira, Jose Augusto de Alencar Mendes
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18112024-152608/
Resumo: Estruturas de multicamadas de metal são amplamente utilizadas em interconexões de circuitos integrados de alta performance. O estabelecimento de um processo tecnológico para a obtenção dessas estruturas é uma evolução natural dos trabalhos de pesquisa em microeletrônica realizados na EPUSP. Com este objetivo, foi desenvolvido um processo pioneiro para confecção de uma estrutura de dupla camada de metal com dimensões mínimas de 2-3\'MICROMETROS\' usando a liga \'AL\'/\'SI\' (1%). Foram analisados aspectos teóricos referentes ao primeiro nível de metal, dando ênfase a caracterização das resistências de contato metal-semicondutor. Utilizando um sistema automático de medidas e estruturas de teste, foram levantados os valores experimentais das resistências (e resistividades) de contato entre a liga metálica e o silício (tipo \'N POT.+\' E \'P POT.+\') Em função das dimensões de contato, tendo as concentrações de superfície como parâmetro. Dois tipos de camada intermetálica foram confeccionadas e caracterizadas: a primeira (não planarizada) constituída de uma camada única de óxido (\'SI\'\'O IND.2\') e a segunda (planarizada) constituída de uma tripla camada (\'SI\'\'O IND.2\'/sog/\'SI\'\'O IND.2\'). Os depósitos de óxido foram realizados por meio de reator \"Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition\" à temperatura de 360°C tendo o tetraetilortosilicato (TEOS) como fonte e oxigênio como gás portador.